艾賽斯模塊的構造嚴密，接口平順，表面光滑，質量檢測嚴格。產品廣泛應用于工業變頻器、伺服驅動系統、工業電源系統、可編程邏輯控制器、電池管理系統、太陽能、工業網絡系統、工業自動化、醫療設備等領域。
艾賽斯模塊在選定時應考慮使用模塊的場合，選擇何種電壓，電流規格的模塊，需要做周密的考慮。
IGBT的VGE的耐壓值為±20V，在艾賽斯模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場合，由于會導致損壞的危險，因而在柵極-發射極之間不能超出耐壓值的電壓，這點請注意。
在使用裝置的場合，如果柵極回路不合適或者柵極回路*不能工作時，若在主回路上加上電壓，則會損壞，為防止這類損壞情況發生，應在柵極-發射極之間接一只10kΩ左左的電阻為宜。
此外，由于模塊為MOS結構，對于靜電就要十分注意：
1.在使用模塊時，手持分裝件時，請勿觸摸驅動端子部分。
2.在用導電材料連接驅動端子的模塊時，在配線未布好之前，請先不要接上模塊。
3.盡量在底板良好接地的情況下操作。
4.當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸。
5.在焊接作業時，焊機與焊槽之間的漏泄容易引起靜電壓的產生，為了防止靜電的產生，請先將焊機處良好的接地狀態下。
6.裝部件的容器，請選用不帶靜電的容器。
更新時間：2022-09-19
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