肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用...

肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用...

熔斷器（fuse）是指當(dāng)電流超過規(guī)定值時(shí)，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時(shí)間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運(yùn)用這種原理制成的一種電流...

肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用...

MOS晶體管模塊GENESIC現(xiàn)貨供應(yīng)，MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-...

富士電機(jī)IGBT模塊已開發(fā)用作電機(jī)變速驅(qū)動(dòng)器的功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)元件，不間斷電源等。IGBT是一種半導(dǎo)體器件，它將功率MOSFET的高速開關(guān)性能與雙極晶體管的高電壓/高電流處理能力相結(jié)合。模塊 富士FU...

富士FUJI模塊現(xiàn)貨供應(yīng)，絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（...

分立二極管主要有三種封裝形式：軸向二極管、螺栓型以及平板型。按性能分雪崩型、快恢復(fù)型、標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)型、（平板型）焊接二極管。晶閘管模塊ECOSEMITEK原廠原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

晶體閘流管（Thyristor）又稱作可控硅整流器，曾被簡(jiǎn)稱為可控硅；1957年美國(guó)通用電器公司開發(fā)出晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽極，陰極和門極...

快速恢復(fù)二極管也常用普通二極管的圖形符號(hào)來表示，用文字說明或在型號(hào)上予以區(qū)別?？焖倩謴?fù)二極管與普通二極管相似，但制造工藝與普通一極管有所不同。在靠近PN結(jié)處的摻雜濃度很低，以此獲得較高的開關(guān)速度和較低...